半导体制造中的蚀刻和清洗工序，大量使用氢氟酸（HF）和磷酸（H₃PO₄）的混合酸，由此产生极高浓度的含氟含磷酸性废水。传统的石灰一步中和法会产生大量被界定为危险废物的混合污泥，不仅处置成本高昂，更浪费了其中宝贵的氟和磷资源。实现半导体行业含氟废水的深度资源化，关键在于精准的分级沉淀和后续的深度净化。本研究提出了一套完整的梯级处理方案：第一级，通过精确投加石灰乳或氯化钙，并利用在线pH计严格将反应pH控制在3.5-4.5的酸性窗口。在此条件下，氟离子优先与钙离子结合，形成纯度较高（>85%）的氟化钙（CaF₂）沉淀。作为副产品的人工萤石，是生产氢氟酸的宝贵原料，价值远高于危废填埋。

  第二级，将分离CaF₂后的酸性上清液（富含磷酸根）的pH用石灰乳进一步提升至8-9。此时，磷酸根以羟基磷酸钙（Ca₅(PO₄)₃OH）的形式高效沉淀回收，该产品可作为优质的磷肥原料。经过这两级精准沉淀后，废水中的氟和磷浓度已大幅降低，但仍可能残留微量重金属（如从芯片上蚀刻下来的钨、钛等）和较高的盐分。随后，废水进入螯合树脂吸附单元，深度去除残余的微量重金属离子，保护后续的膜分离系统。

  最后，经过保安过滤的废水，依次进入纳滤（NF）和反渗透（RO）膜系统。NF用于分盐，将二价盐（主要为硫酸根）与一价盐（主要为氯离子）分离；RO则将淡水彻底脱盐，产出的纯水电阻率可达18.2MΩ·cm，直接返回芯片生产车间作为超纯水使用。RO浓水则返回前端进行再处理或进入末端MVR蒸发结晶。整个系统实现了氢氟酸和磷酸污染物的分步产品化回收，以及水资源的全回用闭环。

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